根据楚天都市报的报道●,长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示,国家存储器基地Ⅺ项目经过3年的建设已经取◈得了阶段性成效,ы自主开发的6κ4层三维◣闪存г产品实现量产。

据介绍,杨道虹表示,当前以及今后一段时间他们目∽前的任务是Ⅻ如期达成月产能10万片,在⿻二期项目中将会达到30万片/月产能。

根据之前的Π介绍,长江存储科技有限责┏任公★司早在2018↘年就公开发布其突破性技术&Ёmdash;—Xtacking,该技术将▓大幅℉提升NAND I/‰™O速度到3.0Gbps。

根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的◥加︵工方式有利于△选择合适的先进逻辑工艺,以让NAN↑D获取更高⊙的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同*样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆★各自完工后,创新的Xtacking 技术只需一个∮处理步骤就可通〓过数百万根金属VIA(Ve∏rtical Interconne℃ct Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只〥增加了有限的成本。

现在,长江存储已成功将Xtacking 技术应用于λ其第二代3D』 NAND产品的开发,大规模量产之后,预计会有更多的储存产品用⿻上国产≧芯片。

杨道虹还ц*透露称,不仅64层三维闪存产品╯╰实现量产,◈更高层〓的三维闪存产⿷品研发也取得阶段性成果,进一步缩短了与国际龙头企业的差≈距。

据悉,长江存Ц储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立,公↖司经营范♂围包括半导体♥集成电路科▦▩技领域内的技术开发;集φ成电路及相关产品的设┊┋计┑等。